导轨开关电源电子器件的选用方式：

　　3.3 輸出整流器

　　3.3.1 肖特基二极管

　　在輸出低压低的变换器中肖特基做为輸出整流管是最好是的，由于它顺向压减少，又沒有反向恢复時间，恰当吗？尽管它的确顺向压减少和沒有反向恢复時间，但肖特基二极管在负极和阳极氧化中间一般有很大的电容器。随加进肖特基上工作电压转变对于电容器必定存有电池充电和充放电（当肖特基基本上沒有加工作电压时，电容器较大）。

　　这种情况十分像一般二级管的反相修复电流量。

　　视电源电路不一样，也将会其耗损比较用1个极快修复整流管时耗损大很多。还理应留意此结电容，尽管正电荷 Q 低，依然将会与电源电路中杂散电感器造成震荡，在一些串联谐振设计方案中运用此特点制成软电源开关。因此与一般二级管相同必须给肖特基加1个缓存电源电路，那样提升了耗损。除此之外肖特基在高溫和它的额定电流外有挺大的泄露电流。

　　泄露电流将会将正激变换器次级线圈短路故障，这或许就是说锗二级管泄露电流很大而无需的缘故。由于这一原因，为使反方向电流量不必很大，只有采用肖特基额定电流的 3/4，溫度不超出 110℃。髙压肖特基与一般二级管顺向压力降相仿。就沒有必需必须得用那样的元器件。假如将来技术性发展趋势，髙压肖特基二极管的确比双极型二级管顺向压减少，则另说了。

　　3.3.2 二级管

　　设计方案1个 12V 輸出，16A 电流量，可否用2个 10A 预算定额的二级管串联？因为二级管顺向压力降的负温度指数特点和顺向压力降的离散性，結果1个电流量很大的二级管，耗损增加而溫度高，顺向压力降减少电流量再次增加，反馈调节，最终造成1个二级管穿过所有电流量而烧毁，记牢了没有？因此尽管能将二级管串联但理应留意热力循环（即保证他们中间最少的热组）。假如用2个公司分立二级管事实上那样做不容易很取得成功。如果2个二级管做在1个集成ic上，具备同样的热和电气设备特点。能够保证不错平衡。MOSFET 压力降具备正溫度特点，促使串联非常容易。

　　3.3.3 反向恢复

　　导轨开关电源肖特基沒有反向恢复時间，而全部双极型二级管常有反向恢复难题。这是在二级管正指导通电流量IF关闭時刻，因为极少数载流子储存效用不可以马上消退，还能在短期内trr=ta+tb（图 3.3）穿过反方向（即由22负极到阳极氧化）电流量，这一時间trr 称为反向恢复時间。

　　图 3.3 详解了这一异常情况。在ta時间内反方向电流量升高到最高值，在导轨开关电源变电器的漏感和导线等内寄生电感器中储存动能（图 3.4），自此（tb），二级管刚开始截至，驱使电源电路中电流量降低，储存在电感器中的动能释放出来，与有关电源电路接触电阻产生震荡，造成比较严重的振铃状况，这对变换器高效率、电磁兼容测试导致巨大危害。依据反向恢复時间将二级管的分为不一样级别（一般整流管、快修复，极快修复这些）。

　　高频率变换器在輸出级谷值工作电压 50V左右一直选用超快恢复二极管，50V下列选用肖特基二极管。輸出工作电压低时选用同步整流MOSFET。同步整流的MOSFET的体二级管修复速率比较慢，一般大概为 1μs。它不适合做为整流管。这就是说为何一般用肖特基与同步整流MOSFET管串联：在MOSFET关闭时肖特基穿过基本上所有电流量，这代表体二级管不用反向恢复。